Technische Details PBSS306NZ,135 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS306NZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 700mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 5.1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PBSS306NZ,135 nach Preis ab 0.81 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS306NZ,135 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 5.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
PBSS306NZ,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 5.1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 255mA, 5.1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
PBSS306NZ,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS306NZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.1 A, 700 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 700mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
|
PBSS306NZ,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS306NZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.1 A, 700 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 700mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS306NZ,135 |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 5.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 100V 5.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 595+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.85 EUR |
| PBSS306NZ,135 |
![]() |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 5.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 255mA, 5.1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS NPN 100V 5.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 255mA, 5.1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 1.97 EUR |
| 15+ | 1.23 EUR |
| 50+ | 0.91 EUR |
| 100+ | 0.81 EUR |
| PBSS306NZ,135 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS306NZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PBSS306NZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PBSS306NZ,135 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS306NZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PBSS306NZ,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




