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PBSS3515M,315

PBSS3515M,315 Nexperia

3103pbss3515m.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS3515M,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Nexperia 3103pbss3515m.pdf Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Nexperia 182963894413201pbss3515m.pdf Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Nexperia 182963894413201pbss3515m.pdf Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Nexperia USA Inc. PBSS3515M.pdf Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 5900 Stücke
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Nexperia USA Inc. PBSS3515M.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT-883
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 430 mW
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5900+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 5900 Stücke
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Nexperia PBSS3515M.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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8+0.43 EUR
12+0.3 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
10000+0.096 EUR
20000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 NEXPERIA PIRSS02109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8471 Stücke:
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500+0.6 EUR
1027+0.21 EUR
1313+0.17 EUR
1819+0.12 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 Nexperia 3103pbss3515m.pdf Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
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287+0.62 EUR
389+0.44 EUR
695+0.24 EUR
1043+0.15 EUR
1322+0.11 EUR
1865+0.11 EUR
2500+0.095 EUR
5000+0.083 EUR
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PBSS3515M,315 PBSS3515M,315 NEXPERIA PIRSS02109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8471 Stücke:
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268+0.94 EUR
390+0.6 EUR
1027+0.21 EUR
1313+0.17 EUR
1819+0.12 EUR
5000+0.12 EUR
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PBSS3515M,315 NXP Semiconductors PBSS3515M.pdf Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3402+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3402 Stücke
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PBSS3515M,315 3103pbss3515m.pdf
PBSS3515M,315
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 17190 Stücke:
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2865+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 2865 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 350000 Stücke:
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20000+0.069 EUR
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PBSS3515M,315
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Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 200000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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20000+0.083 EUR
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50000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PBSS3515M,315
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
auf Bestellung 20000 Stücke:
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5900+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 5900 Stücke
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PBSS3515M,315
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 15V 0.5A SOT-883
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 430 mW
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PBSS3515M,315
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS3515M/SOT883/XQFN3
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20000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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PBSS3515M,315 PIRSS02109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS3515M,315
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8471 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.6 EUR
1027+0.21 EUR
1313+0.17 EUR
1819+0.12 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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PBSS3515M,315
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Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
287+0.62 EUR
389+0.44 EUR
695+0.24 EUR
1043+0.15 EUR
1322+0.11 EUR
1865+0.11 EUR
2500+0.095 EUR
5000+0.083 EUR
10000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS3515M,315 PIRSS02109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS3515M,315
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS3515M,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8471 Stücke:
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268+0.94 EUR
390+0.6 EUR
1027+0.21 EUR
1313+0.17 EUR
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5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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Hersteller: NXP Semiconductors
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3402+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
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