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PBSS3515MB,315 Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 590mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS3515MB,315 Nexperia

Description: TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 25mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 280MHz, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 250 mW, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS3515MB,315 PBSS3515MB,315 Nexperia 4383068553870309pbss3515mb.pdf Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 590mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS3515MB,315 PBSS3515MB,315 Nexperia PBSS3515MB.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS3515MB/SOT883B/XQFN3
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PBSS3515MB,315 PBSS3515MB,315 Nexperia USA Inc. PBSS3515MB.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3
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Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 25mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q100
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3
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Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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