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PBSS4032NZ,115

PBSS4032NZ,115 Nexperia USA Inc.

PBSS4032NZ.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 30V 4.9A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 270mA, 5.4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Technische Details PBSS4032NZ,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBSS4032NZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.9A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS4032NZ,115 PBSS4032NZ,115 Hersteller : Nexperia 2154322909517158pbss4032nz.pdf Trans GP BJT NPN 30V 4.9A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS4032NZ,115 PBSS4032NZ,115 Hersteller : Nexperia PBSS4032NZ.pdf Bipolar Transistors - BJT 30 V, 4.9 A NPN low VCEsat transistor
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PBSS4032NZ,115 PBSS4032NZ,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4032NZ.pdf Description: TRANS NPN 30V 4.9A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 270mA, 5.4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1000 Stücke:
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PBSS4032NZ,115 PBSS4032NZ,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003510556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4032NZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.9A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10502 Stücke:
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PBSS4032NZ,115 PBSS4032NZ,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003510556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4032NZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4.9A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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PBSS4032NZ,115 Hersteller : NXP Semiconductors PBSS4032NZ.pdf Trans GP BJT NPN 30V 4.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBSS4032NZ,115 Hersteller : NXP Semiconductors PBSS4032NZ.pdf Trans GP BJT NPN 30V 4.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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