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PBSS4032NZ,115

PBSS4032NZ,115 Nexperia

PBSS4032NZ.pdf
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS4032NZ/SOT223/SC-73
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Technische Details PBSS4032NZ,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4032NZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 700mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 4.9A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4032NZ,115 PBSS4032NZ,115 Nexperia USA Inc. PBSS4032NZ.pdf Description: TRANS NPN 30V 4.9A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 270mA, 5.4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q100
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PBSS4032NZ,115 PBSS4032NZ,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003510556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4032NZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 4.9A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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141+1.65 EUR
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PBSS4032NZ,115 PBSS4032NZ,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003510556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4032NZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 4.9A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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PBSS4032NZ,115 NXP Semiconductors PBSS4032NZ.pdf Trans GP BJT NPN 30V 4.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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473+1.42 EUR
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PBSS4032NZ,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 30V 4.9A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 270mA, 5.4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q100
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PBSS4032NZ,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4032NZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 4.9A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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PBSS4032NZ,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4032NZ,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 4.9A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4067 Stücke:
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Trans GP BJT NPN 30V 4.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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