PBSS4032PT-QR Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 2.4A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 10mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 390 mW
Qualification: AEC-Q101
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PBSS4032PT-QR Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 2.4A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 10mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 160MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 2.4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 390 mW, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote PBSS4032PT-QR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
PBSS4032PT-QR | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS4032PT-QR |
![]() |
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat transistor
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


