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Technische Details PBSS4032SP,115 Nexperia
Description: TRANS 2PNP DUAL 30V 4.8A 8-SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 2.3W, Current - Collector (Ic) (Max): 4.8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 510mV @ 250mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 115MHz, Supplier Device Package: 8-SO.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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PBSS4032SP,115 | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4032SP,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT Dual PNP -30V -4.8A 0.73W 115MHz |
auf Bestellung 1624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS4032SP,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R
Trans GP BJT PNP 30V 4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 662+ | 1 EUR |
| PBSS4032SP,115 |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT Dual PNP -30V -4.8A 0.73W 115MHz
Bipolar Transistors - BJT Dual PNP -30V -4.8A 0.73W 115MHz
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)