PBSS4112PAN-QX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4112PAN-QX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 1 A, 2 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 2W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details PBSS4112PAN-QX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4112PAN-QX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 1 A, 2 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 2W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBSS4112PAN-QX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PBSS4112PAN-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4112PAN-QX - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 1 A, 2 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4112PAN-QX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PBSS4112PAN-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS4112PAN-QX | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 120 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |