PBSS4112PANP-QX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PBSS4112PANP-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 2 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 2W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 2W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details PBSS4112PANP-QX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 2 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 2W, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 2W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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PBSS4112PANP-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 2 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 2W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 2W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4112PANP-QX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PBSS4112PANP-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A / 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 100mA, 2V / 190 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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PBSS4112PANP-QX | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 20 V; 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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