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PBSS4112PANP-QX

PBSS4112PANP-QX NEXPERIA


PBSS4112PANP-Q.pdf Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 2 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 2W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 2W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details PBSS4112PANP-QX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 2 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 2W, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 2W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PBSS4112PANP-QX PBSS4112PANP-QX Hersteller : NEXPERIA PBSS4112PANP-Q.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4112PANP-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 120 V, 120 V, 1 A, 1 A, 2 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz
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Verlustleistung, PNP: 2W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 2W
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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PBSS4112PANP-QX PBSS4112PANP-QX Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4112PANP-Q.pdf Description: PBSS4112PANP-Q/SOT1118/HUSON6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A / 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 100mA, 2V / 190 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz, 100MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PBSS4112PANP-QX PBSS4112PANP-QX Hersteller : Nexperia PBSS4112PANP-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT 20 V; 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
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