PBSS4130PANP,115 Nexperia
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details PBSS4130PANP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 510W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBSS4130PANP,115 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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PBSS4130PANP,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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PBSS4130PANP,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V |
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PBSS4130PANP,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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PBSS4130PANP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4130PANP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4130PANP,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
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| PBSS4130PANP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Transistors - Unclassified Description: PBSS4130PANP,115 |
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PBSS4130PANP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
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