PBSS4130PANP,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.38 EUR |
| 25+ | 0.87 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details PBSS4130PANP,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 510W, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 510W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A.
Weitere Produktangebote PBSS4130PANP,115 nach Preis ab 0.6 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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PBSS4130PANP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 510W Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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PBSS4130PANP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 510W Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| PBSS4130PANP,115 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
auf Bestellung 30914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4130PANP,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 510W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PBSS4130PANP,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W
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Verlustleistung, PNP: 510W
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 510W
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
Description: NEXPERIA - PBSS4130PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 510W
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DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 180hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
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Verlustleistung, NPN: 510W
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Wandlerpolarität: NPN, PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
auf Bestellung 2 Stücke:
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| PBSS4130PANP,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
auf Bestellung 30914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 881+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| 10000+ | 0.6 EUR |