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PBSS4130T,215

PBSS4130T,215 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 1A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS4130T,215 Nexperia

Description: TRANS NPN 30V 1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 480 mW, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4130T,215 PBSS4130T,215 Nexperia 1513597055308582pbss4130t.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS4130T,215 PBSS4130T,215 Nexperia 1513597055308582pbss4130t.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS4130T,215 PBSS4130T,215 NXP Semiconductors 1513597055308582pbss4130t.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS4130T,215 PBSS4130T,215 NXP Semiconductors 1513597055308582pbss4130t.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS4130T,215 PBSS4130T,215 Nexperia pbss4130t.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS4130T,215 PBSS4130T,215 Nexperia PBSS4130T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4130T/SOT23/TO-236AB
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PBSS4130T,215 PBSS4130T,215 Nexperia USA Inc. PBSS4130T.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 3011 Stücke:
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29+0.74 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
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