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PBSS4140DPN,115

PBSS4140DPN,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 1A 370mW 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details PBSS4140DPN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4140DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 370mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 370mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PBSS4140DPN,115 PBSS4140DPN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4140DPN.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 1A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PBSS4140DPN,115 PBSS4140DPN,115 Nexperia PBSS4140DPN.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
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100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
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3000+0.27 EUR
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PBSS4140DPN,115 PBSS4140DPN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002934946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4140DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 370mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 370mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
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PBSS4140DPN,115 PBSS4140DPN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002934946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4140DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 370mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 370mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
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10000+0.17 EUR
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450+0.38 EUR
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450+0.38 EUR
596+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
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Description: TRANS NPN/PNP 40V 1A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS4140DPN/SOT457/SC-74
auf Bestellung 62725 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.69 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PBSS4140DPN,115 NEXP-S-A0002934946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS4140DPN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4140DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 370mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 370mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
auf Bestellung 32094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+2.57 EUR
140+1.67 EUR
222+0.96 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS4140DPN,115 NEXP-S-A0002934946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS4140DPN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4140DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 370mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 370mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
auf Bestellung 32094 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
140+1.67 EUR
222+0.96 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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