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PBSS4160DPN-QX

PBSS4160DPN-QX Nexperia


Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat transistor
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Technische Details PBSS4160DPN-QX Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4160DPN-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 900 mA, 700 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 700mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 900mA, Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 700mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PBSS4160DPN-QX PBSS4160DPN-QX Hersteller : NEXPERIA PBSS4160DPN-Q.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4160DPN-QX - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 900 mA, 700 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 700mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 900mA
Übergangsfrequenz, PNP: 185MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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