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PBSS4160T,215

PBSS4160T,215 Nexperia

pbss4160t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS4160T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : Nexperia pbss4160t.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4160T.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : Nexperia pbss4160t.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.17 EUR
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS4160T.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...400
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
234+0.3 EUR
547+0.13 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS4160T.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 220MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...400
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : Nexperia PBSS4160T.pdf Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
auf Bestellung 31714 Stücke:
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10+0.36 EUR
100+0.25 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.099 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4160T.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
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44+0.4 EUR
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1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : NEXPERIA 2945041.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : NEXPERIA 2945041.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : NEXPERIA 384pbss4160t.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PBSS4160T,215 PBSS4160T,215 Hersteller : Nexperia pbss4160t.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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