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PBSS4160T-QVL Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
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Technische Details PBSS4160T-QVL Nexperia

Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 220MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 270 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4160T-QVL PBSS4160T-QVL Nexperia USA Inc. PBSS4160T-Q.pdf Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Supplier Device Package: TO-236AB
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Power - Max: 270 mW
Qualification: AEC-Q101
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PBSS4160T-QVL PBSS4160T-QVL Nexperia pbss4160t-q.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PBSS4160T-Q/SOT23/TO-236AB
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
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Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
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Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 270 mW
Qualification: AEC-Q101
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Trans GP BJT NPN 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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