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PBSS4240T-QR

PBSS4240T-QR Nexperia

PBSS4240T-Q.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 40V 2A NPN BISS TRAN
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Technische Details PBSS4240T-QR Nexperia

Description: TRANS NPN 40V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 230MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS4240T-QR Hersteller : NEXPERIA PBSS4240T-Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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PBSS4240T-QR PBSS4240T-QR Hersteller : Nexperia pbss4240t-q.pdf Trans GP BJT NPN 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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PBSS4240T-QR PBSS4240T-QR Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS4240T-Q.pdf Description: TRANS NPN 40V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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