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PBSS4260QAZ

PBSS4260QAZ Nexperia

805936418765568pbss4260qa.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 65000 Stücke:
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Technische Details PBSS4260QAZ Nexperia

Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 325 mW, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4260QAZ PBSS4260QAZ Nexperia 805936418765568pbss4260qa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS4260QAZ PBSS4260QAZ Nexperia PBSS4260QA.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
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10+0.65 EUR
100+0.4 EUR
500+0.29 EUR
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PBSS4260QAZ PBSS4260QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4260QA.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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PBSS4260QAZ NEXPERIA NEXP-S-A0003560295-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PBSS4260QAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PBSS4260QAZ NXP Semiconductors PBSS4260QA.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 60V
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Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4260QAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Trans GP BJT NPN 60V 2A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
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10000+0.29 EUR
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2060+0.32 EUR
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