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Technische Details PBSS4310PAS-QX Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 560mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: DFN2020D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PBSS4310PAS-QX nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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PBSS4310PAS-QX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS NPN 10V 3A DFN2020D-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 325 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V Power - Max: 560 mW Qualification: AEC-Q101 |
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PBSS4310PAS-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PBSS4310PAS-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 560mW euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: DFN2020D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4310PAS-QX | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 10V 3A 1540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS4310PAS-QX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 10V 3A DFN2020D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 325 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V Power - Max: 560 mW Qualification: AEC-Q101 |
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