PBSS4310PAS-QX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 10V 3A DFN2020D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 325 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 560 mW
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details PBSS4310PAS-QX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 560mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: DFN2020D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBSS4310PAS-QX nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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PBSS4310PAS-QX | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 10V 3A DFN2020D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 325 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V Power - Max: 560 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS4310PAS-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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PBSS4310PAS-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 560mW euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: DFN2020D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS4310PAS-QX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 10V 3A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 325 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 560 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 10V 3A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 30mA, 3A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 325 @ 500mA, 2V
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Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 560 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.09 EUR |
| 32+ | 0.67 EUR |
| 50+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| PBSS4310PAS-QX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| PBSS4310PAS-QX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 560mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4310PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 10 V, 3 A, 560 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 560mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)