PBSS4330PA,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 30V 3A 3HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details PBSS4330PA,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS4330PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 465hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 465hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-1061, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 210MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PBSS4330PA,115 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PBSS4330PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 30 V, 3 A NPN low VCEsat transistor |
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PBSS4330PA,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 30V 3A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
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PBSS4330PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4330PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 465hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 465hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 210MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PBSS4330PA,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4330PA,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2100mW 3-Pin HUSON T/R |
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