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PBSS4350PAS-QX

PBSS4350PAS-QX NEXPERIA

PBSS4350PAS-Q.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4350PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 2 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
188+1.33 EUR
279+0.83 EUR
409+0.52 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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Technische Details PBSS4350PAS-QX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBSS4350PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 2 W, DFN2020D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020D, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote PBSS4350PAS-QX nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4350PAS-QX PBSS4350PAS-QX NEXPERIA PBSS4350PAS-Q.pdf Description: NEXPERIA - PBSS4350PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 2 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
279+0.83 EUR
409+0.52 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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PBSS4350PAS-QX PBSS4350PAS-QX Nexperia USA Inc. PBSS4350PAS-Q.pdf Description: PBSS4350PAS-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
25+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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PBSS4350PAS-QX PBSS4350PAS-QX Nexperia PBSS4350PAS-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS4350PAS-Q/SOT1061/HUSON3
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2+1.71 EUR
10+1.23 EUR
100+0.76 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Description: NEXPERIA - PBSS4350PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 2 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 3A
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Wandlerpolarität: PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PBSS4350PAS-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
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