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Technische Details PBSS4350T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PBSS4350T,215 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PBSS4350T,215 | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4350T,215 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4350T,215 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4350T,215 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS4350T,215 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 5A |
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PBSS4350T,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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PBSS4350T,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS4350T,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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| 2458+ | 0.27 EUR |
| PBSS4350T,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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| 2458+ | 0.27 EUR |
| 10000+ | 0.24 EUR |
| PBSS4350T,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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| 639+ | 0.27 EUR |
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| 1006+ | 0.17 EUR |
| PBSS4350T,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 0.71 EUR |
| 424+ | 0.4 EUR |
| 635+ | 0.26 EUR |
| 854+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| PBSS4350T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 5A
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 5A
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| PBSS4350T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| PBSS4350T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS4350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 3A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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