PBSS4350T-QVL Nexperia
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Technische Details PBSS4350T-QVL Nexperia
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-236AB, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 1.2 W.
Weitere Produktangebote PBSS4350T-QVL nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PBSS4350T-QVL | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A NPN BJT |
auf Bestellung 2911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS4350T-QVL |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A NPN BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A NPN BJT
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