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PBSS4560PA,115

PBSS4560PA,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
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Technische Details PBSS4560PA,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS4560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 440hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-1061, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS4560PA,115 PBSS4560PA,115 Nexperia pbss4560pa.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R
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PBSS4560PA,115 PBSS4560PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS4560PA.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
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14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
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PBSS4560PA,115 PBSS4560PA,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS4560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 440hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Description: TRANS NPN 60V 6A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
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Description: NEXPERIA - PBSS4560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 440hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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177+1.32 EUR
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