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PBSS5112PAP,115

PBSS5112PAP,115 Nexperia

1500018887075324pbss5112pap.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
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Technische Details PBSS5112PAP,115 Nexperia

Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 510mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia 1500018887075324pbss5112pap.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
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PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc. PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6
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10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
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1000+0.44 EUR
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PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
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