PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 2W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PBSS5112PAP,115 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PBSS5112PAP,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6 |
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PBSS5112PAP,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 5158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS5112PAP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 2W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| PBSS5112PAP,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
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| PBSS5112PAP,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
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PBSS5112PAP,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R |
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PBSS5112PAP,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R |
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