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PBSS5112PAP,115

PBSS5112PAP,115 Nexperia

1500018887075324pbss5112pap.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
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Technische Details PBSS5112PAP,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 2W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia 1500018887075324pbss5112pap.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
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PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia USA Inc. PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003560171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2196 Stücke:
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180+1.39 EUR
215+1.08 EUR
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500+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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PBSS5112PAP,115 PBSS5112PAP,115 Nexperia PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6
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10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
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6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
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824+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
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PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP.pdf PHGL-S-A0001060322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
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Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
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Grade: Automotive
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PBSS5112PAP,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 2W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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6000+0.36 EUR
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
auf Bestellung 7888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R
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