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PBSS5130T,215

PBSS5130T,215 Nexperia

pbss5130t.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS5130T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Nexperia pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Nexperia 3089pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Nexperia 161495693325078pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5130T.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 NXP Semiconductors 161495693325078pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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3087+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
100000+0.15 EUR
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Nexperia PBSS5130T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5130T/SOT23/TO-236AB
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5+0.77 EUR
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50+0.35 EUR
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1000+0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5130T.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB
Power - Max: 480 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 NEXPERIA PHGLS28273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+1.38 EUR
293+0.8 EUR
468+0.46 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 NEXPERIA PHGLS28273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 NEXPERIA PBSS5130T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 210...450
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 21 Stücke:
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21+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12610 Stücke:
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6697+0.096 EUR
10000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 6697 Stücke
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PBSS5130T,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
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6697+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6697 Stücke
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PBSS5130T,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PBSS5130T,215 161495693325078pbss5130t.pdf
PBSS5130T,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PBSS5130T,215
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Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PBSS5130T,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
9000+0.092 EUR
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PBSS5130T,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PBSS5130T,215
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10000+0.18 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3087 Stücke
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PBSS5130T,215
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5130T/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 120 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+0.77 EUR
10+0.51 EUR
50+0.35 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PBSS5130T,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB
Power - Max: 480 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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PBSS5130T,215 PHGLS28273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
181+1.38 EUR
293+0.8 EUR
468+0.46 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBSS5130T,215 PHGLS28273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS5130T,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
181+1.38 EUR
293+0.8 EUR
468+0.46 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 210...450
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 21 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
21+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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