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PBSS5130T,215

PBSS5130T,215 NXP Semiconductors

161495693325078pbss5130t.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS5130T,215 NXP Semiconductors

Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 480 mW, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Nexperia PBSS5130T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5130T/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.43 EUR
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 NEXPERIA PBSS5130T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 210...450
Frequency: 200MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
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PBSS5130T,215
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5130T/SOT23/TO-236AB
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PBSS5130T,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 210...450
Frequency: 200MHz
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
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