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PBSS5130T,215

PBSS5130T,215 Nexperia

3089pbss5130t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS5130T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia 3089pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia 3089pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia 161495693325078pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia 3089pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia 161495693325078pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia 161495693325078pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5130T.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Anzahl Preis
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5130T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 210...450
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
300+0.24 EUR
481+0.15 EUR
827+0.087 EUR
875+0.082 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5130T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 210...450
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 200MHz
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Anzahl Preis
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300+0.24 EUR
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia PBSS5130T.pdf Bipolar Transistors - BJT 30 V; 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
auf Bestellung 3854 Stücke:
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6+0.55 EUR
10+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5130T.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 5119 Stücke:
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Anzahl Preis
28+0.63 EUR
46+0.39 EUR
100+0.24 EUR
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1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5130T.pdf Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4915 Stücke:
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5130T.pdf Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBSS5130T,215 PBSS5130T,215 Hersteller : NEXPERIA 161495693325078pbss5130t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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