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PBSS5160DS,115

PBSS5160DS,115 Nexperia


1511103278532435pbss5160ds.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details PBSS5160DS,115 Nexperia

Description: TRANS 2PNP 60V 770MA 6-TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 420mW, Current - Collector (Ic) (Max): 770mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 185MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

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PBSS5160DS,115 PBSS5160DS,115 Hersteller : Nexperia pbss5160ds.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R
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PBSS5160DS,115 PBSS5160DS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5160DS.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 770MA 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 770mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 185MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PBSS5160DS,115 PBSS5160DS,115 Hersteller : Nexperia 1511103278532435pbss5160ds.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 700mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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PBSS5160DS,115 PBSS5160DS,115 Hersteller : Nexperia PBSS5160DS.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5160DS/SOT457/SC-74
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PBSS5160DS,115 PBSS5160DS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5160DS.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 770MA 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 420mW
Current - Collector (Ic) (Max): 770mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 185MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
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PBSS5160DS,115 Hersteller : NXP PBSS5160DS.pdf Транз. Бипол. ММ 2PNP SOT457 Uceo=60V; Ic=0,77A; f=100MHz; Pdmax=0,42W; hfe=150
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