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PBSS5160PAPSX

PBSS5160PAPSX NXP Semiconductors

926548731903149pbss5160paps.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PBSS5160PAPSX NXP Semiconductors

Description: TRANS 2PNP 60V 1A DFN2020D-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 370mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: DFN2020D-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

Weitere Produktangebote PBSS5160PAPSX nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PBSS5160PAPSX PBSS5160PAPSX Nexperia PBSS5160PAPS.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1118 60V
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PBSS5160PAPSX
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1118 60V
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