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PBSS5160T,215

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5160T,215 PBSS5160T,215 Nexperia pbss5160t.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14910 Stücke:
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PBSS5160T,215 PBSS5160T,215 Nexperia pbss5160t.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS5160T,215 PBSS5160T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5160T.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 80 Stücke:
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22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
50+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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