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PBSS5160T,215 NEXPERIA

Name: PBSS5160T,215
Brand: NEXPERIA
SKU: 837330-8
Price: 72.24 EUR
Availability: InStock

Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 270mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...350
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 220MHz
Pulsed collector current: 2A
Power dissipation: 0.27W

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Technische Details PBSS5160T,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBSS5160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PBSS5160T,215

Hersteller : NEXPERIA

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 270mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...350
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 220MHz
Pulsed collector current: 2A
Power dissipation: 0.27W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Produktcode: 144133

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PBSS5160T,215

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Bipolar Transistors - BJT SOT23 60V 1A PNP BISS TRAN

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PBSS5160T,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW

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PBSS5160T,215

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0003107858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PBSS5160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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PBSS5160T,215

Hersteller : NEXPERIA

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PBSS5160T,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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PBSS5160T,215

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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PBSS5160T,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW

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