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PBSS5160U,115

PBSS5160U,115 NEXPERIA

PBSS5160U.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SC70,SOT323
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 100...350
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Frequency: 185MHz
Collector current: 1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
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Technische Details PBSS5160U,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PBSS5160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 185MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5160U,115 PBSS5160U,115 Nexperia PBSS5160U.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5160U/SOT323/SC-70
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PBSS5160U,115 PBSS5160U,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 185MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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261+0.96 EUR
426+0.55 EUR
672+0.32 EUR
910+0.24 EUR
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PBSS5160U,115 PBSS5160U,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 185MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: NEXPERIA - PBSS5160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
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MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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