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PBSS5160V,115 Nexperia

Name: PBSS5160V,115
Brand: Nexperia
SKU: 130413-4
Price: 3.44 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications PBSS5160V/SOT666/SOT6

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Technische Details PBSS5160V,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 900mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote PBSS5160V,115

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
PBSS5160V,115	Nexperia USA Inc.	Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT-666 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Supplier Device Package: SOT-666 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PBSS5160V,115	NEXPERIA	Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SOT666 Polarisation: bipolar Current gain: 100...350 Frequency: 220MHz Kind of package: reel; tape Case: SOT666 Type of transistor: PNP Mounting: SMD Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 60V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PBSS5160V,115	NEXPERIA	Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 900mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PBSS5160V,115	Nexperia	Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PBSS5160V,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT-666
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA
Supplier Device Package: SOT-666
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)

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PBSS5160V,115

Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SOT666
Polarisation: bipolar
Current gain: 100...350
Frequency: 220MHz
Kind of package: reel; tape
Case: SOT666
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 60V

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PBSS5160V,115

NEXP-S-A0002882165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 900mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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PBSS5160V,115

Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

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