PBSS5220T-QR Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details PBSS5220T-QR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PBSS5220T-QR nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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PBSS5220T-QR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 20V 2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
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PBSS5220T-QR | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5220T-Q/SOT23/TO-236AB |
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PBSS5220T-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5220T-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5220T-QR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 20V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 |
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