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PBSS5230T,215

PBSS5230T,215 Nexperia

pbss5230t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS5230T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : Nexperia pbss5230t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5230T.pdf Description: TRANS PNP 30V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : Nexperia PBSS5230T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5230T/SOT23/TO-236AB
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS24755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS24755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : NEXPERIA 1514007386309105pbss5230t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 2A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : Nexperia pbss5230t.pdf Trans GP BJT PNP 30V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5230T.pdf Description: TRANS PNP 30V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
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PBSS5230T,215 PBSS5230T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5230T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 100...450
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
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