PBSS5240T-QR Nexperia
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Technische Details PBSS5240T-QR Nexperia
Description: TRANS PNP 40V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 300 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote PBSS5240T-QR nach Preis ab 0.33 EUR bis 0.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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PBSS5240T-QR | Hersteller : Nexperia |
 Bipolar Transistors - BJT SOT23 40V 2A PNP BJT |
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PBSS5240T-QR | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PBSS5240T-QR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 40V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |