PBSS5250T,215 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details PBSS5250T,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PBSS5250T,215 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PBSS5250T,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 3927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS5250T/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 130...200 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23; TO236AB Frequency: 100MHz Collector current: 2A Mounting: SMD |
auf Bestellung 2610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q100
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 1 EUR |
| 35+ | 0.62 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS5250T/SOT23/TO-236AB
Bipolar Transistors - BJT PBSS5250T/SOT23/TO-236AB
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.39 EUR |
| 10+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 138+ | 1.82 EUR |
| 200+ | 1.17 EUR |
| 315+ | 0.68 EUR |
| 508+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 2A
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
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Wandlerpolarität: PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 138+ | 1.82 EUR |
| 200+ | 1.17 EUR |
| 315+ | 0.68 EUR |
| 508+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 130...200
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 130...200
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
auf Bestellung 2610 Stücke:
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