Technische Details PBSS5250T,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote PBSS5250T,215 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PBSS5250T,215 | NEXPERIA |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 130...200 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23; TO236AB Frequency: 100MHz Collector current: 2A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V |
auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 50V |
auf Bestellung 7283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS5250T,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PBSS5250T,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 130...200
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 130...200
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 143+ | 0.6 EUR |
| 201+ | 0.43 EUR |
| 355+ | 0.24 EUR |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 50V
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 50V
auf Bestellung 7283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 480 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 480 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.92 EUR |
| 37+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PBSS5250T,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PBSS5250T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)