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Technische Details PBSS5320T,215 Nexperia
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 540 mW.
Weitere Produktangebote PBSS5320T,215 nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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PBSS5320T,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 540 mW |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 540 mW |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 20 V, 3 A PNP low VCEsat transistor |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5320T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5320T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Verlustleistung: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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PBSS5320T,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5320T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 220 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |