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PBSS5320T,215

PBSS5320T,215 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS5320T,215 Nexperia

Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 540 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PBSS5320T,215 PBSS5320T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5320T.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 540 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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PBSS5320T,215 PBSS5320T,215 Nexperia PBSS5320T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5320T/SOT23/TO-236AB
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Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 540 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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100+0.6 EUR
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1000+0.27 EUR
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Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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