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PBSS5330PA,115

PBSS5330PA,115 Nexperia

3976617793339872pbss5330pa.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_par.pdfcidbrand_nxpd.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 3A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R
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Technische Details PBSS5330PA,115 Nexperia

Description: TRANS PNP 30V 3A 3HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 165MHz, Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 2.1 W.

Weitere Produktangebote PBSS5330PA,115 nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS5330PA,115 PBSS5330PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS5330PA.pdf Description: TRANS PNP 30V 3A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
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PBSS5330PA,115 PBSS5330PA,115 Nexperia PBSS5330PA.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS5330PA/SOT1061/HUSON3
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PBSS5330PA,115 PBSS5330PA.pdf
PBSS5330PA,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 3A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
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Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
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