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PBSS5350T,215

PBSS5350T,215 Nexperia

pbss5350t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS5350T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia pbss5350t.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5350T.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 540 mW
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3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia PBSS5350T.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 50V 3A PNP BISS TRAN
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10+0.36 EUR
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500+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5350T.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 540 mW
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5350T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 5A
Power dissipation: 1.2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
113+0.63 EUR
160+0.45 EUR
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS5350T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 5A
Power dissipation: 1.2W
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PBSS5350T,215
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 84 Stücke:
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002908853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5350T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : Nexperia pbss5350t.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PBSS5350T,215 PBSS5350T,215 Hersteller : NEXPERIA pbss5350t.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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