PBSS5350X,115
Produktcode: 172478
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PBSS5350X,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: TO-243 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PBSS5350X,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PBSS5350X,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 550mW euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: TO-243 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS5350X,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: TO-243
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: TO-243
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PBSS5350X,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PBSS5350X,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: TO-243
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5350X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 550 mW, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: TO-243
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)