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PBSS5440D,115

PBSS5440D,115 Nexperia

PBSS5440D.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT457 40V
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Technische Details PBSS5440D,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS5440D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 1.1 W, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-457, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBSS5440D,115 PBSS5440D,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5440D.pdf Description: TRANS PNP 40V 4A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PBSS5440D,115 PBSS5440D,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5440D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 1.1 W, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-457
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBSS5440D,115 PBSS5440D,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS5440D,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 1.1 W, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-457
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBSS5440D,115 PBSS5440D,115 Hersteller : Nexperia pbss5440d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 4A 2500mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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PBSS5440D,115 PBSS5440D,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS5440D.pdf Description: TRANS PNP 40V 4A 6-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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