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PBSS8110TVL

PBSS8110TVL Nexperia USA Inc.

PBSS8110T.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details PBSS8110TVL Nexperia USA Inc.

Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBSS8110TVL PBSS8110TVL Nexperia USA Inc. PBSS8110T.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PBSS8110TVL PBSS8110TVL Nexperia PBSS8110T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS8110T/SOT23/TO-236AB
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PBSS8110TVL PBSS8110TVL NEXPERIA NEXP-S-A0002908924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBSS8110TVL - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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PBSS8110TVL PBSS8110TVL Nexperia pbss8110t.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 1A TO-236AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
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Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBSS8110T/SOT23/TO-236AB
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PBSS8110TVL NEXP-S-A0002908924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBSS8110TVL
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS8110TVL - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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PBSS8110TVL
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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