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PBSS8110Z,135

PBSS8110Z,135 Nexperia

pbss8110z.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details PBSS8110Z,135 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : Nexperia pbss8110z.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : Nexperia PBSS8110Z.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT223 100V 1A NPN BISS TRAN
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS8110Z.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : Nexperia pbss8110z.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : NEXPERIA 685502.pdf Description: NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : NEXPERIA 685502.pdf Description: NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : Nexperia pbss8110z.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 153 Stücke:
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : NEXPERIA 183165859913415pbss8110z.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS8110Z.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : Nexperia pbss8110z.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
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PBSS8110Z,135 PBSS8110Z,135 Hersteller : NEXPERIA PBSS8110Z.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 80...500
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
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