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PBSS9110T,215

PBSS9110T,215 Nexperia

pbss9110t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBSS9110T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBSS9110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : Nexperia pbss9110t.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS9110T.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 480 mW
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : Nexperia pbss9110t.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : Nexperia pbss9110t.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 357000 Stücke:
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS9110T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...450
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 416 Stücke:
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Anzahl Preis
186+0.39 EUR
278+0.26 EUR
358+0.20 EUR
416+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : NEXPERIA PBSS9110T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...450
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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278+0.26 EUR
358+0.20 EUR
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : Nexperia PBSS9110T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBSS9110T/SOT23/TO-236AB
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Mindestbestellmenge: 6
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBSS9110T.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 480 mW
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Mindestbestellmenge: 29
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : NEXPERIA 3048902.pdf Description: NEXPERIA - PBSS9110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4720 Stücke:
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : NEXPERIA 3048902.pdf Description: NEXPERIA - PBSS9110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : NEXPERIA 1541912161341644pbss9110t.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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PBSS9110T,215 Hersteller : NXP Semiconductors PBSS9110T.pdf TRANS PNP 100V 1A SOT23
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PBSS9110T,215 PBSS9110T,215 Hersteller : Nexperia pbss9110t.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R
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