PBSS9110Z,135 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.24 EUR |
| 8000+ | 0.23 EUR |
| 12000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details PBSS9110Z,135 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS9110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PBSS9110Z,135 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PBSS9110Z,135 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 697696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS9110Z,135 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBSS9110Z,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-223 Power - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive |
auf Bestellung 17787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBSS9110Z,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS9110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PBSS9110Z,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS9110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PBSS9110Z,135 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 697696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1513+ | 0.44 EUR |
| 10000+ | 0.38 EUR |
| 100000+ | 0.31 EUR |
| PBSS9110Z,135 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1372+ | 0.48 EUR |
| 10000+ | 0.43 EUR |
| PBSS9110Z,135 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-223
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-223
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
auf Bestellung 17787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.11 EUR |
| 31+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 2000+ | 0.26 EUR |
| PBSS9110Z,135 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS9110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS9110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PBSS9110Z,135 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS9110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS9110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)