auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.23 EUR |
| 10+ | 4.33 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PCDP1665G1_T0_00001 Panjit
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote PCDP1665G1_T0_00001 nach Preis ab 4.62 EUR bis 9.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PCDP1665G1_T0_00001 | Hersteller : Panjit International Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 618pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| PCDP1665G1_T0_00001 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
PCDP1665G1-T0 THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |