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PD20010-E

radio-frequency-transistors.html
Produktcode: 89276
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PD20010-E STM radio-frequency-transistors.html TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Транзистори
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PD20010-E PD20010-E STMicroelectronics radio-frequency-transistors.html Description: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
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PD20010-E PD20010-E STMicroelectronics cd00228754-1796777.pdf RF MOSFET Transistors POWER R.F.
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PD20010-E PD20010-E STMICROELECTRONICS 2371922.pdf Description: STMICROELECTRONICS - PD20010-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 5
Verlustleistung Pd: 59
Betriebsfrequenz, max.: 2
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 165
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
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PD20010-E STMicroelectronics radio-frequency-transistors.html Trans RF FET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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PD20010-E radio-frequency-transistors.html
Hersteller: STM
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Транзистори
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PD20010-E
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
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PD20010-E
Hersteller: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
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PD20010-E 2371922.pdf
PD20010-E
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD20010-E - HF-FET-Transistor, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 5
Verlustleistung Pd: 59
Betriebsfrequenz, max.: 2
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 165
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
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PD20010-E radio-frequency-transistors.html
Hersteller: STMicroelectronics
Trans RF FET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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