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PD20010TR-E

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radio-frequency-transistors.html
Produktcode: 121355
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Geschäftskunde
PD20010TR-E PD20010TR-E STMicroelectronics radio-frequency-transistors.html Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 13.6 V
Voltage - Rated: 40 V
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Technology: LDMOS
Gain: 11dB
Power - Output: 10W
Frequency: 2GHz
Current Rating (Amps): 5A
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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PD20010TR-E PD20010TR-E STMicroelectronics radio-frequency-transistors.html Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
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PD20010TR-E PD20010TR-E STMicroelectronics cd00228754-1796777.pdf RF MOSFET Transistors RF power tran LdmoST N-chann
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PD20010TR-E radio-frequency-transistors.html
PD20010TR-E
Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 13.6 V
Voltage - Rated: 40 V
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Technology: LDMOS
Gain: 11dB
Power - Output: 10W
Frequency: 2GHz
Current Rating (Amps): 5A
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Current Rating (Amps): 5A
Frequency: 2GHz
Power - Output: 10W
Gain: 11dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Formed Lead)
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 150 mA
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RF MOSFET Transistors RF power tran LdmoST N-chann
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