PD54003-E STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 50+ | 8.6 EUR |
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Technische Details PD54003-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 4A; 25.8W; PowerSO10RF, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 4A, Power dissipation: 25.8W, Case: PowerSO10RF, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote PD54003-E nach Preis ab 8.38 EUR bis 18.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF POWER transistor LDMOST family N-Chan |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PD54003-E |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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.jpg "PD54003-E") |
PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 4A Frequency: 500MHz Power - Output: 3W Gain: 12dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 50 mA |
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| PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 4A; 25.8W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 4A Power dissipation: 25.8W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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