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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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PD55008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PD55008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PD55008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS |
auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PD55008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 4A Frequency: 500MHz Power - Output: 8W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 150 mA |
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PD55008-E | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD55008-E - HF-FET-Transistor, LdmoST, n-Kanal, 40 V, 4 A, 52.8 W, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 52.8W Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PD55008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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| PD55008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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| PD55008-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 52.8W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 4A Power dissipation: 52.8W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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| MMBT5401 Produktcode: 160586
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Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
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| 10nF 100V X7R 10% 0805 (CL21B103KCANNND -Samsung) Produktcode: 114785
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Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
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| 39pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N390J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 50757
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 39pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 39pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
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| 1000+ | 0.012 EUR |
| 10000+ | 0.0079 EUR |
| PMBTA92 Produktcode: 7997
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Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 50 MHz
U, V: 300
U, V: 300
I, А: 0.1
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 50 MHz
U, V: 300
U, V: 300
I, А: 0.1
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.06 EUR |
| 10+ | 0.04 EUR |
| 100+ | 0.028 EUR |