Technische Details PD55008S-E STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 4A, Frequency: 500MHz, Power - Output: 8W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead), Part Status: Active, Voltage - Rated: 40 V, Voltage - Test: 12.5 V, Current - Test: 150 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PD55008S-E | STMicroelectronics |
 Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RFPackaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 4A Frequency: 500MHz Power - Output: 8W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead) Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 150 mA |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PD55008S-E | STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER R.F. |
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| PD55008S-E | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 52.8W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 4A Power dissipation: 52.8W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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| PD55008S-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 4A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 8W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 150 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Packaging: Tube
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Current Rating (Amps): 4A
Frequency: 500MHz
Power - Output: 8W
Gain: 17dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 150 mA
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| PD55008S-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
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| PD55008S-E |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 52.8W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4A
Power dissipation: 52.8W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 52.8W; PowerSO10RF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4A
Power dissipation: 52.8W
Case: PowerSO10RF
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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