PD55008S-E STMicroelectronics
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Technische Details PD55008S-E STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 4A, Frequency: 500MHz, Power - Output: 8W, Gain: 17dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead), Part Status: Active, Voltage - Rated: 40 V, Voltage - Test: 12.5 V, Current - Test: 150 mA.
Weitere Produktangebote PD55008S-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PD55008S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans RF FET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
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| PD55008S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube |
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PD55008S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 4A Frequency: 500MHz Power - Output: 8W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead) Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 150 mA |
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PD55008S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors POWER R.F. |
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| PD55008S-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 52.8W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 4A Power dissipation: 52.8W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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