PD57060S-E STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: PowerSO-10RF (Straight Lead)
Technology: LDMOS
Gain: 14.3dB
Power - Output: 60W
Frequency: 945MHz
Current Rating (Amps): 7A
Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 97.78 EUR |
| 10+ | 80.81 EUR |
| 50+ | 74.91 EUR |
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Technische Details PD57060S-E STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Betriebsfrequenz, max.: 945MHz, Betriebsfrequenz, min.: -, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerSO-10RF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 165°C.
Weitere Produktangebote PD57060S-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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PD57060S-E | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebsfrequenz, max.: 945MHz Betriebsfrequenz, min.: - Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerSO-10RF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 165°C |
auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PD57060S-E |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF
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Transistormontage: Flanschklemme
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 945MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
Description: STMICROELECTRONICS - PD57060S-E - HF-FET-Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF
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Betriebsfrequenz, max.: 945MHz
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO-10RF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 165°C
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