PDTA113EMB,315 Nexperia
| Anzahl | Privatkunde |
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| 5301+ | 0.12 EUR |
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| 100000+ | 0.089 EUR |
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Technische Details PDTA113EMB,315 Nexperia
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Frequency - Transition: 180 MHz, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1006B-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote PDTA113EMB,315 nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.084 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| PDTA113EMB,315 | NXP |
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auf Bestellung 140000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA113EMB,315 | NEXPERIA |
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auf Bestellung 9999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9999 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PDTA113EMB,315 |
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Hersteller: NXP
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 14285+ | 0.084 EUR |
| PDTA113EMB,315 |
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Hersteller: NEXPERIA
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